GaAs基MMIC寬帶功率放大器研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體技術的不斷發(fā)展，微波單片集成電路因其體積小、成本低、噪聲低、功耗小、可靠性高等優(yōu)點而得到廣泛應用。在現(xiàn)代無線通訊系統(tǒng)中，功率放大器起著舉足輕重的作用。本論文以“GaAs基 MMIC寬帶功率放大器研究”為題研究設計并實現(xiàn)了一款6-12GHz GaAs基 MMIC寬帶功率放大器芯片。具體研究內容摘要如下：
　　首先介紹了MMIC的發(fā)展歷程及國內外發(fā)展現(xiàn)狀，研究了放大器的基本工作原理，介紹了功率放大器的主要技術指標；其次對本款

2、單片所使用的0.25um PHEMT工藝進行了研究，詳細闡述了小信號、大信號模型的提取；然后具體描述了在 ADS仿真環(huán)境中對本款單片的仿真設計過程，最終確定電路由三級晶體管構成，柵寬分別為：40μm*10、80μm*10、85μm*10*2，芯片版圖面積為2.5mm*1.3mm；最后講述了對功放單片的在片測試和夾具測試，給出了測試結果，結果表明，在工作頻帶內，小信號增益?16dB,輸入、輸出駐波比?2.0，飽和輸出功率?30dBm，功率

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