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文檔簡介
1、毫米波功率放大器是軍用射頻電子系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。本課題致力于此種功放單片的研究和設(shè)計(jì)，開發(fā)高功率輸出的寬帶集成放大電路。芯片上的有源器件選擇GaAs pHEMT工藝，對應(yīng)的器件仿真模型由芯片加工廠提供，設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)包括：確定電路基本形式、pHEMT管芯的散熱效果評估、電路原理圖設(shè)計(jì)優(yōu)化、版圖電磁場仿真和版圖布局等環(huán)節(jié)。
論文首先對現(xiàn)有的MMIC技術(shù)特點(diǎn)、發(fā)展?fàn)顩r、工藝特點(diǎn)、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行了深入的研究，比較了目前各種MMIC工藝的優(yōu)缺
2、點(diǎn)，根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)選定了特征柵長為0.25μm的GaAs pHEMT耗盡型功率管作為芯片上的有源器件。然后對設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了前期驗(yàn)證工作以確保其可靠性，并運(yùn)用有限元法估算了工作狀態(tài)下，末級和驅(qū)動級的pHEMT功率管的柵極下溝道溫度分布情況。芯片內(nèi)部的電路拓?fù)洳捎盟募壏糯?，末級八路功率合成的形式，設(shè)計(jì)過程參考微波電路設(shè)計(jì)思想，設(shè)置每個pHEMT管工作于A類放大狀態(tài)，先分別設(shè)計(jì)了饋電電路、單級匹配電路、功率分配器和功率合成器的電路原理圖，然后將
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