W籽晶層對于SmCo-Cu薄膜磁性能和微結(jié)構(gòu)的影響.pdf

1、由于SmCo5的六角密排結(jié)構(gòu)使其在c軸方向的磁晶垂直各向異性極高，在提高磁存儲密度而減小晶粒體積的同時可以具備較高的熱穩(wěn)定性，所以SmCo5對于超高密度垂直磁記錄是一種非常理想的材料。在制備SmCo5薄膜時，其易磁軸方向不易控制在垂直方向，不利于其垂直磁性能的提高，而如果在制備SmCo5薄膜時加入合適的籽晶層和底層，可誘導(dǎo)其易磁化軸沿垂直膜面方向生長，經(jīng)過后退火處理晶化磁性層，可大幅度提高SmCo5薄膜的垂直磁性能。
　　首先本論

2、文介紹了實驗中所需薄膜樣品的制備基本原理和工藝流程，簡述了分析薄膜化學(xué)組成、微結(jié)構(gòu)以及磁性能的儀器設(shè)備與方法，然后詳細(xì)研究了W底層厚度對W種子層和生長的Cu層的微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌，同時采用控制變量法研究了后退火溫度對于不同濺射功率和不同濺射氣壓下制備的SmCo薄膜磁性能、微結(jié)構(gòu)和元素組成的影響，最后重點研究了W籽晶層厚度對SmCo/Cu薄膜磁學(xué)性能與微結(jié)構(gòu)的影響，并從微觀結(jié)構(gòu)角度分析了W籽晶層提高SmCo/Cu薄膜磁學(xué)性能的原因。

3、>　　實驗結(jié)果表明，后退火溫度對SmCo薄膜的磁性能有顯著的影響，當(dāng)退火溫度達(dá)到600℃時，不同濺射功率和濺射氣壓下制備的SmCo薄膜矯頑力都最大；SmCo/Cu薄膜的矯頑力與剩磁矩形比都隨著W籽晶層厚度的增加先增大后減小，當(dāng)W籽晶層厚度為10nm時，SmCo/Cu薄膜的磁性能最佳，垂直矯頑力與剩磁矩形比分別達(dá)到3740Oe與0.78。10nm厚W籽晶層具有的低表面粗糙度、高阻擋與非晶態(tài)結(jié)構(gòu)特性，是生長高性能Cu（Ⅲ）底層和進(jìn)一步促使S