SmCo薄膜的制備與性能研究.pdf

1、在當(dāng)今信息社會中，磁存儲獲得越來越廣泛的應(yīng)用。而且隨著磁存儲密度的不斷提高，對于磁記錄薄膜介質(zhì)的結(jié)構(gòu)和性能提出了越來越高的要求。由于室溫下磁控濺射法制備的SmCo薄膜具有高的矯頑力、很好的單軸磁晶各向異性，使得它成為一種很具有開發(fā)潛力的高密度磁記錄介質(zhì)。 本文在總結(jié)了國內(nèi)外有關(guān)SmCo系磁性薄膜材料研究的基礎(chǔ)上，采用磁控濺射的方法制備了非晶態(tài)的SmCo磁性薄膜，研究了制膜工藝對SmC0薄膜結(jié)構(gòu)、矯頑力的影響。首先用磁控共濺射方法

2、制備了非晶態(tài)的SmCo/Cr磁性薄膜，并通過原位后退火處理研究了其磁學(xué)性能。結(jié)果表明，當(dāng)Co靶濺射功率參數(shù)取220W，Sm靶功率取54W，樣品薄膜中Sm的含量為17.28％時，濺射的薄膜成分非常接近于SmCo<,5>，在600℃下退火30分鐘，SmCo／Cr薄膜樣品的矯頑力升高，并且磁化取向有從面內(nèi)轉(zhuǎn)向垂直方向的趨勢。 還采用磁控濺射法在玻璃基片上用復(fù)合靶制備了SmCo／Cu磁記錄薄膜，并用振動樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)測量了薄膜的基