CdSe-TiO2同軸納米電纜的制備與性能研究.pdf

1、本論文采用恒電位沉積法，以陽(yáng)極氧化鋁（AAO）為模板，制備了CdSe納米線、CdSe納米管、TiO2納米管、CdSe/TiO2同軸納米電纜及其陣列。采用掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、EDS能譜、X射線衍射、紫外-可見(jiàn)吸收光譜等測(cè)試手段，對(duì)所得材料的形貌、結(jié)構(gòu)、光吸收特性等進(jìn)行了表征。
　　以AAO模板為工作電極，采用控電位法制備出了CdSe納米線及納米管陣列。形貌分析表明，CdSe納米線直徑約100 nn，表面光滑、粗細(xì)均一。C

2、dSe納米管外徑約100 nm，壁厚約20 nm。X射線衍射測(cè)試表明，所制得的CdSe納米材料為立方晶型與六方晶型的混合，經(jīng)過(guò)350℃熱處理后，立方晶型向六方晶型轉(zhuǎn)變。Mott-Schottky曲線測(cè)試可知，CdSe納米材料為n型半導(dǎo)體。
　　采用控電位法在AAO模板中制備出孔徑一致，排列整齊的TiO2納米管陣列，以此為基礎(chǔ)，在TiO2納米管內(nèi)控電位沉積CdSe納米線，經(jīng)過(guò)350℃熱處理后，獲得 CdSe/TiO2同軸納米電纜及其

3、陣列。形貌測(cè)試表明，TiO2納米管中完全被CdSe納米線填充，呈同軸納米電纜結(jié)構(gòu)。同軸納米電纜外徑約100 nm，壁厚約20nm，CdSe納米線直徑約60 nm。XRD圖譜表明，CdSe/TiO2同軸納米線陣列由銳鈦礦型TiO2和六方晶型CdSe組成。
　　紫外固體可見(jiàn)吸收光譜測(cè)試表明，CdSe/TiO2同軸納米電纜陣列的吸收光譜較TiO2納米管陣列發(fā)生明顯紅移。降解實(shí)驗(yàn)及光電性能測(cè)試表明，與TiO2納米管陣列相比，CdSe/Ti