SiC-SiO2同軸納米電纜量產化制備工藝研究.pdf

1、本文基于自制三室連續(xù)生產式真空可控氣氛爐，以大量合成高質量SiC/SiO2同軸納米電纜為目標，以工業(yè)化生產和應用為追求，結合產物產量、宏觀和微觀形貌及物相結構，系統(tǒng)研究了各工藝參數(shù)的影響規(guī)律，不斷的優(yōu)化制備工藝，并對產物的生長機理進行了探討。主要研究結果如下:
　　采用化學氣相反應法，以Si粉、SiO2粉和高純CH4氣體為實驗原料，系統(tǒng)研究了保溫時間，CH4通氣時間、通氣速率、通氣動態(tài)變化情況以及物料進爐溫度等參數(shù)對量產化制備Si

2、C/SiO2同軸納米電纜產量、宏觀和微觀形貌及物相結構的影響規(guī)律，并對其生長機理進行了討論。得到優(yōu)化工藝為:以球磨后的Si和SiO2粉體(n(Si)∶ n(SiO2)=1.5∶1)和高純CH4氣體為原料，滴加4ml濃度為0.05 mol·L-1硝酸鎳乙醇溶液，在1270℃保溫60 min，保溫期間以250 seem通入CH4氣體，物料進爐溫度小于400℃。所制得的產物達到克量級，SiC/SiO2同軸納米電纜直徑約50-90nm，晶體Si

3、C核芯直徑約30-40 nm，非晶SiO2包覆層厚度約15-25nm。
　　采用化學氣相反應和碳熱還原法相結合，以Si、SiO2和石墨混合粉體為實驗原料，系統(tǒng)研究了保溫時間，催化劑用量以及物料進爐、出爐溫度等工藝參數(shù)對量產化SiC/SiO2同軸納米電纜的宏觀產量、微觀結構等的影響規(guī)律，并對其生長機理進行了討論。得到優(yōu)選工藝為:以經過混合球磨處理后的Si、SiO2及石墨粉混合粉料(n(Si)∶ n(SiO2)=1.5∶1、n(C)∶

4、n(Si+SiO2)=1.5∶1)為原料，滴加4-12 ml濃度為0.05 mol·L-1硝酸鎳乙醇溶液，在1270℃保溫120-240min，物料進爐溫度和出爐溫度分別保持在500℃和1000℃以下。此外，提出了同步析出VLS生長機理，合理解釋了產物的生長過程。所得產物重量突破1克，SiC/SiO2同軸納米電纜直徑約50-100nm，晶體SiC核芯直徑約20-40nm，非晶SiO2外包覆層厚度約20-30nm。
　　結合甲烷和石

5、墨為碳源的優(yōu)選工藝，以石墨為固態(tài)碳源，以甲烷為輔助氣態(tài)碳源，得到大量高質量SiC/SiO2同軸納米電纜的優(yōu)選工藝為:n(C)∶n(Si+SiO2)=1.5∶1，硝酸鎳乙醇溶液濃度0.05 mol·L-1均勻滴加4 ml，合成溫度1270℃，保溫時間120 min，保溫期間甲烷通氣速率為100-250 sccm，物料進爐溫度和出爐溫度分別保持在500℃和1000℃以下?；谧灾剖磻鞯奶厥饨Y構和VLS機制，闡述了大面SiC/SiO2納

6、米電纜的生長機理。制備的產物重量穩(wěn)定在1克以上，SiC/SiO2同軸納米電纜直徑約60-80 nm，單晶SiC核芯直徑約25-35am，非晶SiO2包覆層厚度約15-20 nm。
　　另外，本文還分別探索了以Si、SiO2、活性炭混合粉體和甲烷以及聚碳硅烷為實驗原料制備SiC/SiO2同軸納米電纜的制備工藝，并對各自的生長機理進行了初步探討。
　　本文制備工藝在推進SiC/SiO2同軸納米電纜工業(yè)化發(fā)展的同時，也為SiC一維