X波段GaN基五位數(shù)字移相器MMIC的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、數(shù)字式移相器在相控陣雷達收/發(fā)組件中扮演著重要角色。隨著X波段相控陣雷達在軍事上的應用需求越來越明確,收/發(fā)組件中各部件急需在電路設計形式和生產制造工藝上做進一步優(yōu)化,以達到改善性能、提高集成度以及降低成本的目的。本文采用GaN HEMT工藝研究并設計了一款X波段五位數(shù)字移相器微波單片集成電路(MMIC),取得主要研究成果如下:
　　利用GaN HEMT小信號S參數(shù)測試結果,解決了在移相器電路設計過程中,晶體管無成熟開關模型的問題

2、,為電路設計提供了技術支持;
　　采用為晶體管并聯(lián)諧振電感和優(yōu)化輸入匹配的方法,設計了一款適合在移相器電路中使用的開關結構,解決了GaN HEMT單管插入損耗過大的問題;
　　采用加載線型和高通/低通濾波器型拓撲結構設計了五位數(shù)字移相器電路。設計結果表明,在9.2~10.2Ghz頻帶范圍內,該移相器的移相精度小于6.8度,均方根移相誤差小于3.5度,插入損耗典型值為-17.4dB,偏移量小于2.4dB,輸入輸出回波損耗小于-

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