新型憶阻電路設(shè)計(jì)與仿真研究.pdf_第1頁(yè)
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1、憶阻器(Memristor)由蔡少棠(L.O.Chua)在1971年提出并于2008年由惠普實(shí)驗(yàn)室成功研制出原型器件,是繼電阻、電容和電感之后的第四種基本電路元件。憶阻器是由電量和磁通量定義的非線性電路模型,具有許多獨(dú)特的復(fù)雜動(dòng)力學(xué)特性。
　　本文利用憶阻器模型,設(shè)計(jì)基于憶阻器的新型電路,深入研究其動(dòng)力學(xué)特性。主要工作包括:
　　1)含不確定性參數(shù)的新型憶阻電路設(shè)計(jì)與仿真研究
　　根據(jù)憶阻器的性質(zhì),在憶阻電路模型中引入

2、不確定性參數(shù)。基于該新型電路模型,利用數(shù)值仿真方法研究其混沌吸引子和李雅普諾夫指數(shù)譜,深入剖析不確定性參數(shù)對(duì)該新型憶阻電路關(guān)鍵動(dòng)力學(xué)特性的影響。
　　2)基于兩個(gè)憶阻器的新型混沌發(fā)生器設(shè)計(jì)與仿真研究
　　根據(jù)電路理論設(shè)計(jì)出一類基于兩個(gè)憶阻器的新型混沌發(fā)生器,建立其數(shù)學(xué)模型,并計(jì)算仿真相軌圖、李雅普諾夫指數(shù)與譜、平衡點(diǎn)集與分岔圖等動(dòng)力學(xué)行為,嘗試性提出基于多個(gè)憶阻器的新型混沌發(fā)生器。
　　3)基于兩個(gè)憶阻器的新型時(shí)滯電路

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