基于憶阻的讀寫電路設計及其應用研究.pdf

1、隨著芯片集成技術的日趨成熟，摩爾定律受到了挑戰(zhàn)。目前存儲技術受到了材料，工藝等方面的限制，已經(jīng)發(fā)展到了瓶頸。而憶阻由于其阻變特性，非易失性以及其納米級的尺寸，滿足了對存儲器大容量、高速度和低功耗的要求，可以用于解決目前在存儲技術上遇到的難題。
　　本文介紹了目前主流的存儲技術以及由于憶阻的問世所帶來的新興存儲技術，對憶阻在存儲上應用的優(yōu)勢進行分析，并對多項存儲技術之間的性能參數(shù)進行了比較。同時對目前的主流憶阻模型—惠普憶阻模型，以

2、及相關模型改進做了詳細的介紹。
　　基于惠普憶阻模型，結合數(shù)據(jù)存取的需求，本文對憶阻讀寫進行了數(shù)學分析，對最近今年憶阻讀寫方案設計進行分析仿真。從理論上證明了讀取操作會對憶阻所存儲的數(shù)據(jù)帶來的損壞，仿真結果也表明該問題確實存在。本文設計了存儲憶阻的狀態(tài)更新方案用以解決該問題。
　　本文還對設計方案的應用進行了研究，提出了所設計方案在多值存儲以及陣列存儲中的應用。將憶阻由二值存儲擴展到四值存儲，進行了狀態(tài)設計以及讀寫方案設計；