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1、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)作為專用集成電路(ASIC)領(lǐng)域中的一種半定制電路自誕生以來(lái)就發(fā)展迅速。隨著空間電子系統(tǒng)的迅速發(fā)展,反熔絲型FPGA以其非易失性、功耗低、集成度高、性能穩(wěn)定、抗總劑量等優(yōu)點(diǎn)得到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。
本文首先介紹兩種不同結(jié)構(gòu)的反熔絲(ONO型和MTM型反熔絲)的特點(diǎn),但是由于這兩種反熔絲結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,不能由標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝制造。本次設(shè)計(jì)的FPGA采用的是基于柵氧擊穿原理的反熔絲,在對(duì)柵氧擊穿模型進(jìn)行
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