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文檔簡介
1、本論文以底柵型非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)器件為基礎(chǔ)，對(duì)a-Si TFT模型進(jìn)行研究。將a-Si材料場效應(yīng)遷移率小于1cm2/V·s作為限制條件，利用Matlab軟件編程實(shí)現(xiàn)模型閾上區(qū)域初始參數(shù)的自動(dòng)化提取，在此基礎(chǔ)上利用參數(shù)提取軟件進(jìn)行a-Si TFT模型參數(shù)的分區(qū)域提取，得到了與實(shí)測數(shù)據(jù)吻合較好的模型，將此模型應(yīng)用于不同寬長比的TFT器件中，發(fā)現(xiàn)此模型對(duì)于同一制備工藝的器件具有廣泛的適用性。
在以上研究的基礎(chǔ)上，分
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