半導體橋火工品電磁兼容技術研究.pdf

1、本文分析了靜電射頻效應及其對SCB火工品作用機理,結合半導體橋結構尺寸及電參數特性,提出了合理的電磁兼容設計方案。研究了貼片電容及TVS芯片用于SCB靜電射頻防護效果及規(guī)律,分析了兩種元件對SCB電爆性能的影響,主要得到以下結論:
　　 (1)101和104貼片電容在一定頻率范圍內具有較小的阻抗,與SCB并聯(lián)后形成電流旁路,顯著提高了SCB的射頻防護能力;
　　 (2)貼片電容具有隔直作用,儲能電容放電條件下不會影響SC

2、B電爆性能;
　　 (3)研究表明三種SMBJ芯片對SCB火工品的射頻防護有明顯作用,其防護能力大小排序為:SMBJ10CA＞SMBJ22CA＞SMBJ75CA。寄生電阻過大的TVS芯片用于SCB射頻防護時,會產生高溫使藥劑性能發(fā)生變化,但對SCB電爆性能無影響。綜合分析,結電容較大、寄生電阻較小的SMBJ芯片具有更好的射頻防護能力,且射頻作用不會影響防護后SCB的電爆性能;
　　 (4)SMBJ10CA芯片能有效提高S

3、CB靜電防護能力,SMBJ22CA芯片防護能力較小,而SMBJ75CA芯片幾乎無防護能力。分析認為擊穿電壓較低、寄生電阻較小的TVS芯片能夠形成低阻抗通路旁路靜電電流,顯著提高SCB抗靜電能力;
　　 (5)在47μF、22V電容放電發(fā)火條件下,并聯(lián)SMBJ10CA芯片的SCB爆發(fā)時間有2μs左右延遲,發(fā)火能量無變化;SMBJ22CA和SMBJ75CA均不影響SCB的電爆性能。電容放電條件下,TVS芯片擊穿電壓低于SCB發(fā)火電壓