版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料為基礎(chǔ)的新型功率器件,在各種功率應(yīng)用場(chǎng)合下正顯示出優(yōu)越的特性和廣闊的發(fā)展前景,而商用的SiC SBD等器件已經(jīng)在功率因數(shù)校正(PFC)電路中得到了實(shí)際應(yīng)用,大幅提高工作頻率、效率和功率密度。而在開關(guān)器件方面,SiC MOSFET和SiC JFET器件也實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化,為高電壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)合提供了新的解決方案,
在這些新型功率器件中,SiC JFET器件由于相對(duì)簡(jiǎn)單的技術(shù)原理、和相
2、對(duì)低的技術(shù)門檻,對(duì)比例如SiC MOSFET等器件,具有價(jià)格低廉、可靠性高等優(yōu)勢(shì),是目前備受矚目的下一代功率開關(guān)器件選擇之一。目前針對(duì)SiC JFET器件的研發(fā)已有多年,包括多種新型工藝結(jié)構(gòu)和類型的JFET器件均已得到實(shí)現(xiàn),例如包含集成的寄生反并二極管的新結(jié)構(gòu)等。由于JFET器件本身不包含S-D的內(nèi)部二極管,而即使是包含集成反并二極管的新型SiCJFET器件也是類似于MOSFET內(nèi)部的P-N結(jié)二極管,其反向恢復(fù)狀況依然不令人滿意,尤其在
3、高溫情況下的少子恢復(fù)現(xiàn)象更加明顯。因此當(dāng)前的JFET器件應(yīng)用拓?fù)淦毡榘送獠糠床⑿ぬ鼗O管,用于改善開關(guān)過(guò)程中的反向恢復(fù)情況。
在此背景下,本論文以基于傳統(tǒng)溝道設(shè)計(jì)的SiC JFET的測(cè)試結(jié)果和器件結(jié)構(gòu)分析為基礎(chǔ),對(duì)于SiC JFET器件的反向電流導(dǎo)通能力進(jìn)行了完整的評(píng)估與分析,并通過(guò)不同溫度下的測(cè)試結(jié)果,提出了在SiC JFET器件應(yīng)用中外部反向并聯(lián)二極管的應(yīng)用準(zhǔn)則;并討論了無(wú)外部二極管,而僅僅依靠JFET本身溝道逆
4、向?qū)щ姷目赡苄?為了實(shí)際驗(yàn)證去除并聯(lián)在SiC JFET器件外部的二極管對(duì)于應(yīng)用電路工作性能的影響,本論文通過(guò)雙脈沖測(cè)試以及后續(xù)的應(yīng)用橋臂電路測(cè)試,對(duì)這種應(yīng)用方式下的反向恢復(fù)電荷、柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求、損耗與效率比較等多種因素進(jìn)行了完整的評(píng)價(jià)和總結(jié)。
與此同時(shí),基于JFET溝道的逆向?qū)щ娫恚?、并提出了一種全新的二極管結(jié)構(gòu)概念,不依賴傳統(tǒng)上直接基于P-N結(jié)勢(shì)壘或者肖特基勢(shì)壘,而通過(guò)JFET溝道的夾斷勢(shì)壘,來(lái)實(shí)現(xiàn)可以調(diào)節(jié)的開
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 碳化硅功率器件
- 碳化硅器件與模型的研究.pdf
- 碳化硅器件及其溫度特性的研究.pdf
- 碳化硅擾動(dòng)噴嘴應(yīng)用說(shuō)明_碳化硅擾動(dòng)噴嘴的優(yōu)勢(shì)
- 碳化硅MOS器件電學(xué)特性研究.pdf
- 碳化硅MOS器件和電路技術(shù)的研究.pdf
- 碳化硅基VDMOS器件SPICE模型研究.pdf
- 碳化硅RSD器件關(guān)鍵工藝探索.pdf
- 碳化硅SBD和MESFETs功率器件研究.pdf
- 大功率碳化硅二極管和JFET模塊的研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅器件的研究.pdf
- 碳化硅器件的溫度特性及其關(guān)鍵工藝研究.pdf
- 碳化硅功率器件高速應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 碳化硅-中國(guó)半導(dǎo)體分立器件分會(huì)
- 碳化硅PMOS器件特性模擬及仿真.pdf
- 碳化硅晶體載流子濃度的分析及多孔碳化硅的制備.pdf
- 納米碳化硅薄膜和納米碳化硅晶須的光電性質(zhì)研究.pdf
- 高壓碳化硅VDMOS器件的設(shè)計(jì)優(yōu)化與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 新型碳化硅器件LLC諧振變換器的研究.pdf
- 碳化硅器件技術(shù)及特性的模擬與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論