混合內存架構的能耗降低策略.pdf

1、相變存儲器(Phase Change Memory,以下簡稱PCM)是一種新型計算機存儲技術。近年來的研究主要把它定位為下一代內存載體。相比較于傳統(tǒng)的動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,以下簡稱DRAM),它具有存儲密度更高、非揮發(fā)性、抗輻射抗干擾、空閑能耗更低等諸多優(yōu)秀特征。但是在存儲寫入操作上,它比DRAM消耗更高的時間和能量。同時它非常有限的寫入壽命也限制了當前其大規(guī)模地替代DRAM。因此

2、,針對PCM技術的應用更多地是把它和DRAM相結合,搭建混合內存架構,以期發(fā)揚兩者各自的優(yōu)勢。之前的相關研究各自提出了他們搭建混合內存系統(tǒng)的思路和策略。但是前人的工作中更多地把目標集中在減少PCM寫入次數(shù)、提高PCM使用壽命,而并沒有考慮到混合內存架構的能耗問題。尤其是在混合內存中DRAM的空閑能耗遠遠高于PCM,占了總能耗中非常大的比例。這個能耗的瓶頸在前人的工作中基本沒有涉及。本文的主要目標就是討論降低混合內存架構下的能耗策略。我們