2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、與氫化非晶硅(a-Si:H)薄膜材料具有不可避免的光致衰退效應相比,硅鍺薄膜作為窄帶隙材料,能夠提高太陽光的吸收效率,從而提升薄膜太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。在力求降低成本,提高效率以及節(jié)能減排的大背景下,硅鍺薄膜材料已成為研究的熱點。
　　本文采用 SiH4+GeH4作為反應氣體在高純 H2稀釋的情況下,運用甚高頻等離子體增強化學氣相沉積(VHF-PECVD)技術(shù)制備了非晶硅鍺薄膜材料樣品。通過控制變量法,研究了鍺烷濃度、氫稀釋率、襯底

2、溫度、輝光功率和反應氣體壓強對薄膜樣品的微結(jié)構(gòu)、光學特性和電學特性的影響,并對參數(shù)進行優(yōu)化。
　　經(jīng)過實驗制備薄膜樣品及測試分析得出以下結(jié)論:在實驗室制備的過程中,襯底溫度保持在350~400℃,輝光功率為30W,氫稀釋率為96％,鍺烷濃度固定在5%,腔室內(nèi)反應氣體壓強保持在100Pa時,可以獲得光電性能較好,結(jié)構(gòu)較理想的非晶硅鍺薄膜材料。在此工藝條件下制備的薄膜材料,生長過程中沉積速率能達到0.45nm/s,光、暗電導率能夠相差

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