PECVD法制備摻磷非晶硅薄膜及其結(jié)構(gòu)和性能的研究.pdf

1、當(dāng)前，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池以其成本低，工藝簡(jiǎn)單，能量回收時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)得到了廣泛關(guān)注。根據(jù)襯底狀況和各層沉積順序的不同，非晶硅薄膜太陽(yáng)電池可分為p-i-n和n-i-p兩種結(jié)構(gòu)。n層和p層共同構(gòu)建非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的內(nèi)建電場(chǎng)，兩層直接影響電池的開(kāi)路電壓(Voc)，短路電流密度(Jsc)，所以n層對(duì)整個(gè)電池的性能起著重要的作用。
　　 本文通過(guò)射頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF-PECVD)，以氫稀釋的硅烷(SiH4)為反應(yīng)氣體，磷烷

2、(PH3)為摻雜氣體，制備了n型氫化非晶硅(a-Si：H)薄膜。本論文研究磷摻雜濃度，輝光放電功率，襯底溫度對(duì)非晶硅薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響，薄膜微結(jié)構(gòu)通過(guò)XRD和拉曼散射光譜進(jìn)行表征，薄膜透過(guò)率通過(guò)紫外可見(jiàn)光分光度計(jì)來(lái)測(cè)試，折射率和消光系數(shù)通過(guò)NKD-7000W光學(xué)薄膜系統(tǒng)擬合得出，暗電導(dǎo)率通過(guò)高阻儀測(cè)試。結(jié)果表明：在本實(shí)驗(yàn)條件下沉積的硅薄膜都是非晶態(tài)；非晶硅薄膜折射率在R=0.8％(R=PH3/SiH4)時(shí)最大，消光系數(shù)隨著摻雜濃度