PECVD法制備摻磷非晶硅薄膜及其結構和性能的研究.pdf

1、當前，非晶硅薄膜太陽能電池以其成本低，工藝簡單，能量回收時間短等優(yōu)點得到了廣泛關注。根據(jù)襯底狀況和各層沉積順序的不同，非晶硅薄膜太陽電池可分為p-i-n和n-i-p兩種結構。n層和p層共同構建非晶硅薄膜太陽能電池的內建電場，兩層直接影響電池的開路電壓(Voc)，短路電流密度(Jsc)，所以n層對整個電池的性能起著重要的作用。
　　 本文通過射頻等離子增強化學氣相沉積(RF-PECVD)，以氫稀釋的硅烷(SiH4)為反應氣體，磷烷

2、(PH3)為摻雜氣體，制備了n型氫化非晶硅(a-Si：H)薄膜。本論文研究磷摻雜濃度，輝光放電功率，襯底溫度對非晶硅薄膜結構和光電性能的影響，薄膜微結構通過XRD和拉曼散射光譜進行表征，薄膜透過率通過紫外可見光分光度計來測試，折射率和消光系數(shù)通過NKD-7000W光學薄膜系統(tǒng)擬合得出，暗電導率通過高阻儀測試。結果表明：在本實驗條件下沉積的硅薄膜都是非晶態(tài)；非晶硅薄膜折射率在R=0.8％(R=PH3/SiH4)時最大，消光系數(shù)隨著摻雜濃度