PECVD法制備納米硅薄膜及其研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、納米硅薄膜(nc-Si：H)是一個由納米尺度的Si晶粒組成的薄膜。它的結(jié)構(gòu)和物性既與其它硅材料有密切的聯(lián)系，又顯示出一系列低維半導(dǎo)體的特性。本文著重研究了nc-Si：H薄膜的制造、表征及其所具有的一系列特性。 在本文中詳細的論述了PECVD法制作納米硅薄膜的原理和過程，深刻剖析了PECVD儀器各部分的工作原理并進行了圖示。實驗選用的氣體為純SiH<,4>氣體，采用PECVD方法，在處理后的硅片上制備了納米硅薄膜，并對制備的薄膜進

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