AZO納米陣列薄膜制備及其電子輻照效應(yīng)研究.pdf

1、透明導(dǎo)電氧化物薄膜是一種常見的功能材料,被廣泛地應(yīng)用于太陽能電池、平板顯示以及其他光電器件中。目前,有關(guān)鋁摻雜的氧化鋅(AZO)薄膜成為了研究的熱點(diǎn)。本文利用射頻磁控濺射技術(shù)和低溫水熱法在玻璃基底上制備AZO納米陣列薄膜,并采用掃描電鏡、X射線衍射分析、雙電測(cè)四探針測(cè)試儀、紫外-可見光分光光度計(jì)等分析測(cè)試手段研究了主要工藝參數(shù)對(duì)AZO薄膜的影響,并初步探討了AZO薄膜在電子輻照作用下的損傷效應(yīng)。
　　采用射頻磁控濺射法制備出了具有

2、c軸擇優(yōu)取向的致密的AZO薄膜,并研究濺射功率和濺射氣壓對(duì)AZO薄膜的影響。結(jié)果表明,在濺射功率為200W、濺射氣壓為0.1Pa的條件下制備出的AZO薄膜具有較好的電學(xué)和光學(xué)性能,其面電阻最低可達(dá)到0.65kΩ/□,可見光區(qū)平均透過率為80.4％。利用低溫水熱法在具有AZO緩沖層的玻璃基底上生長(zhǎng)出了具有c軸擇優(yōu)取向的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的AZO納米陣列薄膜。研究不同Al3+離子摻雜濃度對(duì)AZO薄膜的影響規(guī)律,發(fā)現(xiàn)Al3+離子摻雜濃度為3%的薄

3、膜具有均勻的納米棒陣列,且具有最低的面電阻和較高的透過率,面電阻最低可達(dá)到9.86kΩ/□,透過率達(dá)到80%以上。研究了水熱反應(yīng)時(shí)間對(duì)AZO納米陣列薄膜的影響,結(jié)果表明AZO納米棒的尺寸隨著水熱反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)而增大,且納米棒均勻程度變差,AZO納米陣列薄膜的面電阻隨反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)有小幅度下降,而其可見光區(qū)的透過率則會(huì)有顯著下降。
　　本文采用能量為60keV的電子對(duì)AZO薄膜樣品進(jìn)行電子輻照試驗(yàn),初步研究電子輻照對(duì)AZO薄膜的影響規(guī)