600V LDMOS器件設(shè)計.pdf

1、功率器件是高壓功率集成電路中應(yīng)用的重要器件。橫向LDMOS器件是高壓功率器件中的一種，它具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低及易于和大規(guī)模集成電路兼容等等優(yōu)點(diǎn)，所以它在各種高低壓兼容的集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
　　 本文通過使用SILVACOTCAD工具對高壓LDMOS器件進(jìn)行了模擬和分析，通過調(diào)整各個部分的結(jié)構(gòu)和摻雜濃度，以及利用一些模擬實(shí)驗(yàn)，使器件的各個參數(shù)滿足耐壓的要求，提高器件的可靠性。本文提出一種具有高斯型的傾斜表面漂移區(qū)的LD

2、MOS結(jié)構(gòu)。P阱、溝道、源區(qū)、柵極等位于高斯中心的一側(cè)，而漏端位于高斯中心的另一側(cè)并靠近高斯中心，器件既具有傾斜表面漂移區(qū)的高耐壓性，又具有VDMOS結(jié)構(gòu)的高開態(tài)擊穿特性和良好的安全工作區(qū)域。研究討論了高壓LDMOS器件中的工藝參數(shù)的改變對關(guān)態(tài)擊穿電壓的影響，如漂移區(qū)長度、漂移區(qū)厚度、漂移區(qū)濃度以及襯底濃度等;然后，通過分析這種結(jié)構(gòu)器件的閾值電壓、擊穿電壓、漂移區(qū)表面電場以及特征導(dǎo)通電阻等參數(shù)獲取最佳結(jié)構(gòu)，使器件漂移區(qū)表面電場均勻分布，