基于AAO模板的金屬納米線的制備、表征及電學性能測試.pdf

1、一維金屬納米材料由于其良好的電子傳輸性能在微納電子器件中有著廣闊的應用前景。如何實現(xiàn)這種材料的自由設計，并將其優(yōu)良的物理性質應用到器件中是納米材料研究的熱點和前沿。本文采用多孔氧化鋁模板(AAO)輔助的電沉積方法制備了Ni、Co、Cu以及Ni/Co、Ni/Cu、Ni/CdS異質結納米線，并研究了AAO模板中金屬納米線的生長機制、模板孔徑對金屬納米線的形貌和晶體結構的影響、電沉積過程與納米線異質結結構的關系，同時針對單根納米線的電學特性和

2、電負載失效行為進行了原位在線測試和動態(tài)表征。主要研究內容和結果如下：
　　1.采用直流恒電位三電極體系在多孔氧化鋁模板中沉積了Ni、Co、Cu納米線。通過研究不同的沉積電位、電解液濃度和溫度下的電流-時間曲線圖，分析了AAO模板中金屬納米線的最佳電沉積參數(shù)；通過研究不同電解液溫度下的電化學行為探討了金屬納米線在AAO模板中的生長機制，明確了隨著電解液溫度的升高，Ni納米線逐漸由管狀結構向實心結構轉變的生長過程；通過采用不同孔徑的A

3、AO模板制備尺寸可控的Ni、Co、Cu納米線，并借助高分辨透射電子顯微鏡(TEM)分析了金屬納米線的形貌特征和晶體結構，發(fā)現(xiàn)了隨著模板孔徑變小，多晶金屬Ni、Co納米線向單晶結構轉變的趨勢。而多晶銅納米線并未向單晶結構轉變，其原因在于銅的層錯能較小(與鎳和鈷相比)，形成缺陷幾率較大，從而導致金屬銅在沉積時從多個方向生長，形成多晶結構。
　　2.通過兩步電沉積法分別制備了金屬/金屬(Ni/Co、Ni/Cu)和金屬/半導體(Ni/Cd

4、S)異質結納米線，利用高分辨圖像和能量色散X射線譜(EDS)分析了其形貌、結構和成分信息。結果表明，金屬/金屬異質結的界面存在著金屬元素的軸向擴散現(xiàn)象，而金屬/半導體異質結的界面存在著金屬元素的徑向擴散行為。
　　3.基于原位透射電子顯微學技術，采用STM-TEM納米單體測試系統(tǒng)對金屬納米線的電學特性進行了在線表征。研究表明：單金屬納米線的I-V曲線呈典型的線性伏安特性，而被氧化的單金屬納米線由于其與探針(電極)之間的非歐姆接觸致