PbS微納米線的力電學(xué)性能研究.pdf

1、目前，半導(dǎo)體領(lǐng)域中,已有的半導(dǎo)體材料和技術(shù)的研究已經(jīng)達(dá)到了物理臨界點(diǎn)，新的技術(shù)突破迫在眉睫。近年來(lái)，在非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（NRAM）領(lǐng)域中發(fā)展微納米級(jí)的金屬-半導(dǎo)體-金屬（MSM）體系已成為一項(xiàng)非常重要的技術(shù)，并越來(lái)越受到各界的關(guān)注。
　　PbS是一種重要的半導(dǎo)體材料，由于其帶隙寬度是0.41eV，并且有較大的激子波爾半徑（18nm），所以PbS有很多優(yōu)良的光學(xué)和電學(xué)性能，被廣泛的應(yīng)用于非線性光學(xué)器件、紅外探測(cè)器和顯示器中。本

2、實(shí)驗(yàn)中，我們將 PbS微納米線應(yīng)用到阻變式存儲(chǔ)器和壓阻式存儲(chǔ)器中，并詳細(xì)的研究了他們的電阻開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)特性。
　　首先將單根 PbS微納米線放在塑料基底上，然后用銀漿在兩端焊上電極，接上銅導(dǎo)線，就制得了阻變式存儲(chǔ)器件。壓阻式存儲(chǔ)器件則需另外均勻的覆蓋一層PDMS。實(shí)驗(yàn)中，通過(guò)在器件Ag和PbS的界面處退火來(lái)研究熱處理對(duì)開(kāi)關(guān)效應(yīng)和存儲(chǔ)效應(yīng)的影響。研究表明，器件未退火時(shí)，其表現(xiàn)出一個(gè)明顯的對(duì)稱(chēng)式電阻開(kāi)關(guān)特性，并且I-V曲線有較大的遲滯，

3、這說(shuō)明器件有很好的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。而器件一端退火時(shí)，卻表現(xiàn)出典型的雙極性電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)，當(dāng)在器件未退火端加上一個(gè)較小的負(fù)偏壓時(shí)，器件基本不導(dǎo)通。隨著負(fù)偏壓的增大，器件電流在閥值電壓（0.3V-0.8V）下會(huì)突然增大。另外，當(dāng)器件兩端都退火時(shí)，其表現(xiàn)出類(lèi)電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)，并且I-V曲線的遲滯性較小，說(shuō)明器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力很弱。此外，我們還研究了器件的壓阻開(kāi)關(guān)和壓阻式存儲(chǔ)性能。當(dāng)器件被加上一個(gè)應(yīng)變?yōu)?0.26％的壓應(yīng)力時(shí)，其電阻從17 MΩ