基于PSIM的RB-IGBT建模與仿真應(yīng)用研究.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、通過對(duì)傳統(tǒng)NPT-IGBT結(jié)構(gòu)進(jìn)行較小的改變,逆阻式絕緣柵雙極型晶體管(RB-IGBT)具備了反向阻斷能力,這種特性使其適用于電流源逆變器,矩陣變頻器等多種功率變換拓?fù)?。隨著開關(guān)頻率的不斷提高,功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)損耗占據(jù)了系統(tǒng)損耗的很大一部分。因此,細(xì)致的開關(guān)特性不能被忽略,建立RB-IGBT的動(dòng)態(tài)模型顯得尤為重要。
   本文首先根據(jù)RB-IGBT的開關(guān)等效電路模型,推導(dǎo)出描述其純電阻負(fù)載情況下動(dòng)態(tài)過程的方程,并建立基于PS

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