IGBT驅(qū)動策略與仿真研究.pdf

1、隨著IGBT功率等級的不斷提高，IGBT驅(qū)動策略面臨著新的挑戰(zhàn)，如高耐壓值與開關(guān)速度間的矛盾、開通速度較慢與更早地檢測短路狀態(tài)間的矛盾、更大的電流下降速率帶來更高的關(guān)斷電壓尖峰等。因此，研究能夠優(yōu)化IGBT開關(guān)過程、提升短路保護性能的IGBT驅(qū)動策略具有重要的意義。
　　在本文中，對 IGBT的工作機理及工作特性進行了介紹，使用雙極傳輸理論對Hefner數(shù)學(xué)模型進行了詳細推導(dǎo)，并將關(guān)斷暫態(tài)模型中的耗盡層電容作為時間的函數(shù)，作出了修

2、正?；诜治龊屯茖?dǎo)結(jié)論，研究了包括閉環(huán)變電阻開關(guān)、dic/dt與集電極電壓聯(lián)合檢測短路、基于變門極電壓軟關(guān)斷的IGBT驅(qū)動保護策略?；赟aber建立IGBT仿真模型，對模型進行了靜態(tài)特性仿真以及雙脈沖測試仿真。利用該模型搭建了IGBT驅(qū)動仿真平臺，對閉環(huán)、開環(huán)及不變電阻的開關(guān)策略進行了仿真對比；在不同短路情況下進行了短路檢測策略仿真；在不同短路情況下進行了硬關(guān)斷、軟關(guān)斷短路保護策略仿真對比。
　　通過對建立的IGBT模型進行靜態(tài)