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文檔簡介
1、在活性屏離子滲氮(ASPN)過程中,如果偏壓小于工件產(chǎn)生自濺射的偏壓閾值,工件表面滲氮層不均勻,甚至滲不上氮,所以濺射和偏壓對于活性屏離子滲氮技術(shù)來說是非常重要的。
本文用銅片收集了活性屏離子滲氮中不同時間的濺射粒子,并采用先進的測試儀器和分析方法,如使用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)對其進行了顯微分析,觀察了濺射粒子的形貌,研究了濺射粒子的生長過程的行為;同時還使用金相顯微鏡(OM)和顯微硬度計分析了試樣的滲氮層的金相組織和
2、顯微硬度,研究了活性屏離子滲氮中濺射粒子量對滲氮效果的影響。試驗結(jié)果表明,濺射粒子經(jīng)過擴散遷移后沉積凝結(jié)在基體表面上,生長成為納米粒子簇,其生長模式為層加上島狀(Stranski-Krastanov)生長模式。在不加偏壓的條件下,濺射粒子量隨銅片到活性屏距離的增大而減少,滲氮效果隨試樣到活性屏距離的增加而變差,所以濺射粒子量對滲氮效果存在正相關(guān)的影響。
在活性屏離子滲氮中,偏壓對于均勻滲氮起著關(guān)鍵作用,偏壓的電壓和電流是兩個重
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