基于PAA模板電沉積制備一維超結(jié)構(gòu)納米材料.pdf

1、一維結(jié)構(gòu)納米材料因其獨特的物理化學性質(zhì)以及在眾多領域，如在介觀物理和納米器件等，所顯示出的潛在應用而受到普遍的重視。探索和發(fā)展制備一維納米材料的有效方法是一維結(jié)構(gòu)納米材料研究領域的重要基礎。研究表明，納米材料的性能強烈依賴于材料微結(jié)構(gòu)的形狀和大小，因此探索開發(fā)對一維納米材料的形貌、結(jié)構(gòu)、大小和分布等可控的制備方法具有重要的研究意義。本文利用多孔氧化鋁（PAA）為模板，采用電化學沉積的方法制備了具有多孔結(jié)構(gòu)的In-Te納米線陣列和超晶格結(jié)

2、構(gòu)的Bi/Sb納米線陣列。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)對納米線的形貌及結(jié)構(gòu)進行了表征，使用X射線衍射(XRD)、X射線能譜(EDS)等對納米線的晶體結(jié)構(gòu)和成分進行了表征，并使用四探針電阻儀測試分析了納米線的電學性能。
　　采用二次陽極氧化法，在0.3 M草酸電解液中，40 V電壓下制備了孔徑為50 nm左右的多孔陽極氧化鋁模板。孔徑大小均一，孔道筆直有序。
　　在室溫下，以PAA為模板，采用脈沖電沉

3、積方法成功制備出了銦-碲(In-Te)多孔納米線陣列。對制備樣品的形貌、結(jié)構(gòu)、成分等進行了表征，分析結(jié)果表明該納米線陣列直徑大約為50 nm，排列整齊，致密均一，表現(xiàn)出結(jié)晶良好的表面呈現(xiàn)多孔狀的一維結(jié)構(gòu)，孔徑均勻。使用電化學工作站分析研究了納米線陣列的電沉積生長機理。通過調(diào)整脈沖沉積時間，實現(xiàn)了對納米線的孔結(jié)構(gòu)的調(diào)控。I-V曲線表明，In-Te多孔納米線陣列有很好的肖特基結(jié)性能。
　　利用PAA模板電化學沉積法制備了Bi/Sb超晶