基于PAA模板電沉積制備一維超結(jié)構(gòu)納米材料.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、一維結(jié)構(gòu)納米材料因其獨特的物理化學(xué)性質(zhì)以及在眾多領(lǐng)域,如在介觀物理和納米器件等,所顯示出的潛在應(yīng)用而受到普遍的重視。探索和發(fā)展制備一維納米材料的有效方法是一維結(jié)構(gòu)納米材料研究領(lǐng)域的重要基礎(chǔ)。研究表明,納米材料的性能強(qiáng)烈依賴于材料微結(jié)構(gòu)的形狀和大小,因此探索開發(fā)對一維納米材料的形貌、結(jié)構(gòu)、大小和分布等可控的制備方法具有重要的研究意義。本文利用多孔氧化鋁(PAA)為模板,采用電化學(xué)沉積的方法制備了具有多孔結(jié)構(gòu)的In-Te納米線陣列和超晶格結(jié)

2、構(gòu)的Bi/Sb納米線陣列。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)對納米線的形貌及結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,使用X射線衍射(XRD)、X射線能譜(EDS)等對納米線的晶體結(jié)構(gòu)和成分進(jìn)行了表征,并使用四探針電阻儀測試分析了納米線的電學(xué)性能。
  采用二次陽極氧化法,在0.3 M草酸電解液中,40 V電壓下制備了孔徑為50 nm左右的多孔陽極氧化鋁模板??讖酱笮【唬椎拦P直有序。
  在室溫下,以PAA為模板,采用脈沖電沉

3、積方法成功制備出了銦-碲(In-Te)多孔納米線陣列。對制備樣品的形貌、結(jié)構(gòu)、成分等進(jìn)行了表征,分析結(jié)果表明該納米線陣列直徑大約為50 nm,排列整齊,致密均一,表現(xiàn)出結(jié)晶良好的表面呈現(xiàn)多孔狀的一維結(jié)構(gòu),孔徑均勻。使用電化學(xué)工作站分析研究了納米線陣列的電沉積生長機(jī)理。通過調(diào)整脈沖沉積時間,實現(xiàn)了對納米線的孔結(jié)構(gòu)的調(diào)控。I-V曲線表明,In-Te多孔納米線陣列有很好的肖特基結(jié)性能。
  利用PAA模板電化學(xué)沉積法制備了Bi/Sb超晶

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