AAO模板及釹化合物一維納米材料的制備與結(jié)構(gòu)表征.pdf

1、陽(yáng)極氧化鋁膜制備工藝簡(jiǎn)單，具有孔徑分布均勻、孔密度高、孔洞之間互相不連通，取向一致的特點(diǎn)，并且可根據(jù)實(shí)際需要調(diào)控孔徑大小，是制備納米結(jié)構(gòu)的理想模板之一。本文采用二次氧化法成功制備了具有規(guī)則納米孔洞的陽(yáng)極氧化鋁模板，并對(duì)模板的制備工藝及其對(duì)陽(yáng)極氧化鋁模板的影響進(jìn)行了詳細(xì)的研究；采用陽(yáng)極氧化鋁膜為模板成功合成了含釹化合物一維納米結(jié)構(gòu)。 (1)以高純鋁片(純度為99.99％)為陽(yáng)極，石墨電極為陰極，采用二次陽(yáng)極氧化法在草酸溶液中對(duì)鋁片

2、進(jìn)行陽(yáng)極氧化，制備陽(yáng)極氧化鋁模板。詳細(xì)研究了電解液濃度(0.2mol/L，0.3mol/L，0.4mol/L、二次氧化時(shí)間(2h，4h，6h)、二次氧化電壓(45V，40V，35V)等工藝條件對(duì)模板形貌的影響；研究了原始鋁片表面粗糙度對(duì)膜孔生長(zhǎng)方向的影響。結(jié)果表明：在實(shí)驗(yàn)參數(shù)范圍內(nèi)模板孔徑大小、均勻度及孔的有序性均隨電解液濃度及二次氧化電壓增加而提高。二次氧化時(shí)間對(duì)模板孔徑大小影響較小，孔的有序度隨時(shí)間增長(zhǎng)而提高；原始鋁片微米級(jí)的粗糙表

3、面(本實(shí)驗(yàn)，5～30um)嚴(yán)重影響模板孔洞的生長(zhǎng)方向，而100納米以下的表面缺陷對(duì)管的生長(zhǎng)幾乎沒(méi)有影響。 (2)以硝酸釹和尿素為主要原料，多孔陽(yáng)極氧化鋁膜(AAO)為模板，分別采用普通浸滲和壓力浸滲法制備了氧化釹納米線。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)，X射線衍射儀(XRD)和能譜儀(EDS)對(duì)納米線的形貌，結(jié)構(gòu)及組成進(jìn)行了表征。結(jié)果表明：兩種浸滲方法均可得到氧化釹納米線，壓力溶膠浸滲有利于模板納米孔填充度