基于MOSCAP技術(shù)的超低功耗小面積Sigma-Delta調(diào)制器的設(shè)計與研究.pdf

1、隨著超大集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，植入式芯片在醫(yī)療設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用，而Sigma-Delta模數(shù)轉(zhuǎn)換器因其成本低、功耗低和精度高的特點，成為植入式芯片中的首選。本文主要針對其模擬部分即Sigma-Delta調(diào)制器展開，設(shè)計和研究一個基于MOSCAP技術(shù)的超低功耗、小面積Sigma-Delta調(diào)制器。
　　 本文研究了MOSCAP技術(shù)原理，提出將開關(guān)電容電路型Sigma-Delta調(diào)制器中的電容用電容密度更高的單管PMOSFET

2、MOSCAP結(jié)構(gòu)替換，以減少芯片面積。在MATLAB下建立Sigma-Delta調(diào)制器系統(tǒng)模型，對調(diào)制器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與參數(shù)進行了優(yōu)化選取，將MOSCAP電容應(yīng)用于Sigma-Delta調(diào)制器，實現(xiàn)了包括開關(guān)型運算放大器和電容分壓量化器等電路模塊。其中針對多比特量化技術(shù)，提出了采用電容分壓多比特量化器，用電容串實現(xiàn)分壓電路，且采用不帶前置放大器的動態(tài)比較器，相比于傳統(tǒng)量化器，節(jié)省了大部分靜態(tài)功耗。整體電路采用TSMC0.35μm混合信號CM