黑硅太陽能電池的工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、當(dāng)前,為了降低生產(chǎn)成本,硅片薄片化成為晶體硅太陽能電池的發(fā)展趨勢之一。硅片變薄時,對光吸收和鈍化的要求非常嚴(yán)格,特別是在鈍化效果較好時,光吸收就成為了制約電池效率提升的關(guān)鍵因素。因此,需要最大限度地增加硅基體對光線的吸收以提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。文中制備的黑硅硅片在300~1100nm光譜范圍內(nèi)對入射光能達(dá)到95%的吸收率。
  本文利用等離子體侵沒離子注入技術(shù)制備多晶黑硅,其原理為將硅片直接浸沒在等離子體中,然后在硅片上施加負(fù)

2、偏壓,由于在硅片表面形成鞘層,所以硅片表面各處將同時被注入反應(yīng)離子,并與硅片發(fā)生反應(yīng)形成黑硅。本文采用自主搭建的等離子體侵沒離子注入系統(tǒng),研究出了一套制備黑硅硅片的最佳工藝,并初步實(shí)現(xiàn)了黑硅硅片的低成本批量制造;之后,將制備好的黑硅硅片做成太陽能電池,其開路電壓、短路電流和填充因子分別為0.625V,8.750A和79.116%,轉(zhuǎn)換效率可達(dá)17.79%,比常規(guī)太陽能電池轉(zhuǎn)換效率高0.3%。
  由于黑硅硅片的納米結(jié)構(gòu),使得硅片具

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