單晶黑硅太陽能電池性能研究與硅表面制備銀柵線.pdf

1、在過去的半個(gè)多世紀(jì)里，世界光伏產(chǎn)業(yè)取得了快速的發(fā)展，太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率取得了很大提高，生產(chǎn)成本也大幅降低。作為化石能源的替代資源，光伏產(chǎn)業(yè)需要繼續(xù)加大開發(fā)力度，但是單純依靠傳統(tǒng)工藝技術(shù)的改進(jìn)很難突破目前發(fā)展遇到的瓶頸。近年來，隨著對納米光電子技術(shù)的深入研究，科技工作者們嘗試采用各種納米結(jié)構(gòu)和材料來設(shè)計(jì)新型太陽能電池，從而達(dá)到高效率、低成本、高穩(wěn)定性和長壽命的目的。
　　本文以金字塔/納米線雙結(jié)構(gòu)表面的單晶硅片為襯底，根據(jù)太陽

2、能電池的成產(chǎn)工藝制備單晶黑硅太陽能電池。雖然具有很好的減反射能力，但黑硅太陽能電池的平均光電轉(zhuǎn)換效率卻遠(yuǎn)不如普通單晶硅太陽能電池。通過量子效率的測量，軟件的模擬和瞬態(tài)表面光伏的測定，來探究黑硅太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率不理想的原因。另外本文還改進(jìn)了可用于埋柵電池柵線制備的沉積銀薄膜技術(shù)。首先，在硅片表面旋涂保護(hù)涂層，使用激光在硅片表面刻出凹槽;然后，利用金屬納米粒子輔助刻蝕技術(shù)，在硅片表面沉積一層銀納米粒子，再將硅片表面的保護(hù)涂層洗去;隨后