硅太陽能電池背表面鈍化研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、降低體晶體硅成本，是日益競爭激烈光伏產(chǎn)業(yè)追求的目標之一，降低硅原料成本，一般需要向更薄的硅片發(fā)展，采用更薄的硅片是以后晶體硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢之一。對于薄片化的硅太陽能電池，背面鈍化顯得越來越重要了。本文通過對少數(shù)載流子有效壽命的檢測分析和絲網(wǎng)印刷形成背局域接觸的方法對背面鈍化技術(shù)作了系統(tǒng)的實驗研究。 首先，利用PCID模擬背面復合速度對太陽能電池效率的影響，采用CTO、RTO、SIN及其疊加層這些不同介質(zhì)膜作為背表面鈍化

2、膜，通過QSSPCD檢測其鈍化效果。實驗發(fā)現(xiàn)氮化硅膜的厚度從26nm到75nm的時候，鈍化效果基本相同，而在17nm左右的時候，鈍化效果有所下降，1.9到2.3折射率的氮化硅薄膜對背面鈍化的影響不是很大，2.3折射率氮化硅薄膜的退火特性幾乎和2.0折射率的退火特性相同，對于不同的腐蝕界面，雙面氮化硅的鈍化效果基本一致，而對于疊加層來說，經(jīng)過RTP處理之后，diffused硅片的少子壽命有少許下降，CTO的氧化時間在80分鐘左右的時候，少

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