硅太陽能電池背表面鈍化研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、降低體晶體硅成本，是日益競爭激烈光伏產業(yè)追求的目標之一，降低硅原料成本，一般需要向更薄的硅片發(fā)展，采用更薄的硅片是以后晶體硅太陽能電池產業(yè)發(fā)展的趨勢之一。對于薄片化的硅太陽能電池，背面鈍化顯得越來越重要了。本文通過對少數載流子有效壽命的檢測分析和絲網印刷形成背局域接觸的方法對背面鈍化技術作了系統(tǒng)的實驗研究。 首先，利用PCID模擬背面復合速度對太陽能電池效率的影響，采用CTO、RTO、SIN及其疊加層這些不同介質膜作為背表面鈍化

2、膜，通過QSSPCD檢測其鈍化效果。實驗發(fā)現氮化硅膜的厚度從26nm到75nm的時候，鈍化效果基本相同，而在17nm左右的時候，鈍化效果有所下降，1.9到2.3折射率的氮化硅薄膜對背面鈍化的影響不是很大，2.3折射率氮化硅薄膜的退火特性幾乎和2.0折射率的退火特性相同，對于不同的腐蝕界面，雙面氮化硅的鈍化效果基本一致，而對于疊加層來說，經過RTP處理之后，diffused硅片的少子壽命有少許下降，CTO的氧化時間在80分鐘左右的時候，少

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