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文檔簡介
1、本文利用膜系設(shè)計軟件Analyst設(shè)計出400-800nm波段高透過兩側(cè)寬截止的帶通濾光片,帶通濾光片采用雙截止組合結(jié)構(gòu)即分別在基底兩側(cè)鍍制長波通濾光膜和短波通濾光膜,采用的高低折射率膜材分別為ZnS和MgF2。
分析不同沉積溫度(50℃、100℃、200℃、250℃、300℃)對單層薄膜MgF2和ZnS結(jié)構(gòu)和表面形貌的影響規(guī)律,發(fā)現(xiàn)兩種膜材都有擇優(yōu)取向,擇優(yōu)取向分別為晶面(110)和(111)。250℃鍍制的MgF2薄膜晶粒
2、尺寸、表面粗糙度、表面孔隙面積和、微觀應(yīng)力都不是很高,而且粒子尺寸和孔徑都是最小的,綜合考慮認為膜材MgF2的最佳沉積溫度為250℃;對于ZnS薄膜盡管250℃時晶粒尺寸、粒子尺寸、孔隙總面積都是各個沉積溫度中最大的,但是此溫度下?lián)駜?yōu)取向晶面(111)峰強度最高,薄膜擇優(yōu)生長飽和達到穩(wěn)定狀態(tài),故選取250℃為鍍制ZnS薄膜的最佳沉積溫度。300℃鍍制的ZnS薄膜各個參數(shù)都驟降,可能與ZnS蒸鍍機理有關(guān),通常ZnS先分解成Zn和S,沉積到
3、基底上再化合成ZnS。根據(jù)光學薄膜元件環(huán)境適應(yīng)性試驗方法GB/T-26331-2010對250℃鍍制MgF2和ZnS薄膜機械性能進行評價,發(fā)現(xiàn)MgF2薄膜與基底結(jié)合強度高而且耐摩擦性能比較好,可以鍍制到多膜系最外層起到保護層作用;而ZnS膜層與基底間結(jié)合強度也高但是耐摩擦性能較差,應(yīng)盡量避免將ZnS薄膜鍍制到整個膜系的最外層。
在電子束真空鍍膜設(shè)備ORTUS-700上采用膜材MgF2和ZnS最佳沉積溫度250℃鍍制出透過率譜形
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