利用激光等離子體沖擊波清洗硅片表面納米粒子的研究.pdf

1、硅片表面附著的納米粒子污染物可導致芯片缺陷的產(chǎn)生，傳統(tǒng)的化學清洗方法存在著易對硅片產(chǎn)生二次污染的不足。近年來發(fā)展起來的激光誘導等離子體沖擊波清洗技術是一項能夠有效地清除基底表面吸附粒子的新技術，該技術以清洗定位準確、可避免傳統(tǒng)的化學清洗方法對樣品所帶來的二次污染以及適用范圍廣等諸多優(yōu)點正在被各個領域廣泛地使用，這為半導體工業(yè)加工中硅基片表面納米尺度粒子污染物的清洗提供了一種新的途徑。
　　本文對激光誘導等離子體沖擊波清洗硅片表面直

2、徑500nm的聚苯乙烯膠乳粒子進行了系統(tǒng)的研究，首先研究了實驗參數(shù)（清洗間距、激光能量、作用激光脈沖數(shù)等）對清洗效率的影響，結果表明隨著清洗間距的減小和激光能量的增加，清洗效果顯著增強。隨著作用脈沖數(shù)的增加，表面清洗圖樣由環(huán)形向圓形發(fā)生轉變。使用滾動模型數(shù)值模擬了清洗間距和激光能量對清洗效果的影響，模擬結果與實驗結果較好符合。通過對沖擊波不同傳播距離的清洗效果的數(shù)值模擬結果和不同脈沖數(shù)清洗的清洗實驗結果（清洗圖樣由環(huán)形向圓形發(fā)生轉變）的