Pt修飾TiO2納米管陣列薄膜的制備及其光催化性能研究.pdf

1、隨著能源以及污染問題的日趨嚴重，在眾多可以利用太陽能光催化降解污染物的半導體氧化物中，TiO2以其強氧化性、化學穩(wěn)定性好、環(huán)境友好、無毒廉價等優(yōu)勢脫穎而出，吸引了研究人員的大量關注。然而TiO2存在著兩個制約其廣泛應用的瓶頸因素：禁帶較寬，約3.2eV，僅能受占太陽光4％～5％的紫外光激發(fā)；另一方面，光生載流子的高復合率也嚴重制約了其對于所吸收能量的利用，阻礙了TiO2在實際中的廣泛應用。
　　 貴金屬沉積是一種有效改善半導體光

2、生電子空穴對分離效率的一種傳統(tǒng)方法。本文采用陽極氧化法制備得到了TiO2納米管陣列薄膜，并在其上修飾了貴金屬Pt，研究了制備方法及后處理條件等對光催化活性和光電性能的影響。
　　 采用水熱法和光還原法兩種不同方法制備了Pt-TiO2，經過表征發(fā)現(xiàn)Pt修飾可以很大程度地提高半導體催化劑TiO2的光催化降解和光電響應能力；光還原法制備的Pt-TiO2，由于Pt顆粒在半導體表面分散均勻，具有更高的光催化活性?？疾炝斯庹者€原時間、貴金屬

3、沉積量、后處理退火溫度和氣氛等制備條件對Pt-TiO2光催化活性的影響，發(fā)現(xiàn)Pt的沉積量及沉積形式是影響Pt-TiO2光催化活性的重要因素。
　　 氫氣氣氛下不同溫度處理Pt-TiO2的光催化研究結果表明，沉積的Pt表現(xiàn)出不同的存在形式對光催化活性具有較大的影響。場發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)顯示TiO2納米管陣列薄膜在沉積Pt之后仍保持管狀結構，從高分辨電鏡(HR-TEM)以及FE-SEM所拍攝的側面圖中均可看到有Pt顆粒的存