![](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/6e4e08be-76ad-4e5a-acc3-febdcae926ce/6e4e08be-76ad-4e5a-acc3-febdcae926cepic.jpg)
![埋炭氣氛下熔滲燒結(jié)合成Al4SiC4.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/6e4e08be-76ad-4e5a-acc3-febdcae926ce/6e4e08be-76ad-4e5a-acc3-febdcae926ce1.gif)
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、Al4SiC4具有強(qiáng)度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)穩(wěn)定性好、熱膨脹系數(shù)低以及良好的抗水化和抗氧化性能,這使其成為一種很有前途的、有待于進(jìn)一步開發(fā)的高性能耐火材料和高溫結(jié)構(gòu)材料?,F(xiàn)階段,國(guó)內(nèi)外主要有兩種合成Al4SiC4的方法:一種是固-固合成,如熱壓燒結(jié)法、固相反應(yīng)燒結(jié)法等;另一種是固-液合成,如電弧焊法、滲透法等。盡管目前采用這兩種合成方法能合成較純的Al4SiC4,但由于對(duì)合成氣氛有嚴(yán)格要求,且合成溫度高,很難實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn),使其應(yīng)用受到很大限
2、制。鑒于此,本論文提出在埋炭條件下,采用熔滲(鋁)燒結(jié)工藝合成Al4SiC4的新工藝。
本文以不同Al源、SiC和不同C源為原料,在埋炭條件下,采用熔滲燒結(jié)法合成Al4SiC4。通過(guò)熱力學(xué)計(jì)算,結(jié)合X射線衍射(XRD)物相分析、電子探針(EPMA)分析,研究了原料種類、燒成制度、包埋情況等工藝因素對(duì)合成Al4SiC4的影響,經(jīng)分析得到如下結(jié)論:
(1)在埋炭氣氛下,試樣周圍只包埋金屬Al粉時(shí),根據(jù)Al4SiC4的化學(xué)
3、組成,以金屬Al粉、SiC微粉、碳黑粉末為原料的試樣經(jīng)1600℃×3h熱處理后能合成Al4SiC4,但Al4SiC4的純度不高,試樣中含有金屬Al、AlN等雜相。且當(dāng)碳黑過(guò)量20%時(shí),試樣中Al4SiC4的含量最高。
(2)在埋炭氣氛下,試樣周圍包埋金屬Al粉和α-Al2O3粉的混合粉時(shí),根據(jù)Al4SiC4的化學(xué)組成,以金屬Al粉、SiC微粉、碳黑粉末為原料的試樣經(jīng)1600℃×3h熱處理后能合成Al4SiC4,且其純度比較高,
4、試樣中的雜質(zhì)相主要為AlN。且當(dāng)碳黑過(guò)量20%和燒成溫度為1700℃時(shí),試樣中Al4SiC4的含量可達(dá)80%以上。而當(dāng)以活性碳粉代替碳黑,各原料以Al4SiC4的化學(xué)計(jì)量組成配料時(shí),試樣經(jīng)L600℃×3h熱處理后,試樣中Al4SiC4的含量最高??梢?jiàn),以活性碳粉作為C源時(shí),能降低Al4SiC4的合成溫度。
(3)電子探針?lè)治鼋Y(jié)果表明,以本方法合成的Al4SiC4顆粒多為不規(guī)則片狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)合成溫度為1600℃時(shí),合成的Al4Si
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- Al-,4-SiC-,4-陶瓷的合成與高溫性能.pdf
- 熔滲燒結(jié)制備Ti3SiC2及其摩擦磨損性能的研究.pdf
- 天然原料合成Al-,4-SiC-,4-的機(jī)理與性能研究.pdf
- 埋柵-埋溝4H-SiC MESFET結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究.pdf
- Al-Si熔體中原位反應(yīng)合成SiC顆粒的研究.pdf
- 不同原料對(duì)碳熱還原法合成Ai4SiC4和Al4O4C的影響.pdf
- 埋柵-埋溝4H-SiC MESFET特性模擬研究.pdf
- Al-,4-SiC-,4-的制備及其性能研究.pdf
- 自蔓延制備Al-,4-SiC-,4-及添加Al-,4-SiC-,4-對(duì)Al-,2-O-,3--C耐火材料性能的影響.pdf
- 高溫下Mn對(duì)SiC-Cu界面反應(yīng)和無(wú)壓熔滲的影響.pdf
- NiFe-,2-O-,4-基金屬陶瓷的燒結(jié)氣氛及其變氣氛燒結(jié)制備技術(shù)研究.pdf
- 注漿成型熔滲反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷研究.pdf
- 以Al-,2-O-,3-、Al-,2-Si-,2-O-,5-(OH)-,4-和C為原料合成Al-,4-SiC-,4-.pdf
- 基于反應(yīng)燒結(jié)SiC制備SiC-B4C復(fù)合材料的研究.pdf
- B4C-SiC陶瓷基復(fù)合材料的反應(yīng)熔滲制備及其結(jié)構(gòu)與性能研究.pdf
- 4H-SiC埋溝IGBT的設(shè)計(jì)與分析.pdf
- 4H-SiC埋溝MOSFET的特性模擬研究.pdf
- 4H-SiC埋溝MOSFET擊穿特性模擬研究.pdf
- TiC在Al-Ti-Al4C3熔體中反應(yīng)合成及其對(duì)鋁合金的強(qiáng)韌化.pdf
- 無(wú)壓浸滲法制備SiC-Al電子封裝材料.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論