埋柵-埋溝4H-SiC MESFET結構優(yōu)化研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SiC材料由于具有大的禁帶寬度，高的電子飽和速度，高的臨界擊穿電場以及高的熱導率等性能，在高溫，抗輻照，高功率等工作條件下具有明顯的優(yōu)勢，成為近年來半導體領域研究的熱點，并且在交通，通信，能源和國防領域中有廣闊的應用前景。但是目前，SiC MESFET的優(yōu)勢還沒有充分發(fā)揮，主要原因之一是存在于SiC MESFET表面的陷阱引起電流的不穩(wěn)定性。為了解決或者削弱表面陷阱對器件性能的影響，學者們提出了多種器件結構，諸如埋柵、埋溝和埋柵-埋溝等

2、結構，其中以埋柵-埋溝結構取得電學性能最佳。埋柵-埋溝4H-SiC MESFET新型結構器件是在傳統(tǒng)的4H-SiC MESFET器件結構上利用工藝手段在其導電溝道上部加入一層n-buffer層，并將柵極底部埋入該n-buffer層中。它可以減少本來存在于MESFET器件溝道內(nèi)部由表面陷阱所引起的耗盡層所帶來的影響。 本研究利用ISE軟件建立了埋柵-埋溝4H-SiC MESFET模型，對埋柵-埋溝4H-SiC MESFET進行結構

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