微測輻射熱計(jì)用V2O5薄膜的制備及性能研究.pdf

1、V2O5半導(dǎo)體材料,具有良好的光電學(xué)性能,在紅外探測器、氣敏傳感器、濕敏傳感器、正極材料等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用潛能。但純的V2O5薄膜電阻很大,通過改進(jìn)制備工藝來降低 V2O5薄膜的電阻,以滿足不同器件的使用要求。
　　采用釩靶在氬氣和氧氣中進(jìn)行反應(yīng)磁控濺射,在玻璃基體上制備了V2O5薄膜,利用XRD、四探針測試儀、紫外-可見近紅外分光光度計(jì)、AFM、SEM等對薄膜的結(jié)構(gòu)、光電性能及形貌進(jìn)行表征和測試,分析了氧氬比和退火工藝對 V2O

2、5薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。此外,設(shè)計(jì)了V2O5/V/V2O5三層膜結(jié)構(gòu),來降低 V2O5薄膜的電阻。
　　研究了氧氬比、退火溫度、退火氣氛等對玻璃基體上制備的V2O5薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響,得到制備 V2O5薄膜的最佳氧氬比為1.5:25,最佳退火工藝為450℃,保溫1h,空氣中退火。同時(shí),還研究了V層濺射時(shí)間對V2O5/V/V2O5三層膜電學(xué)性能的影響,得出當(dāng) V層濺射時(shí)間為25min時(shí),三層膜具有最佳電學(xué)性能,其方塊電阻為3