基于X波段相控陣的功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn).pdf

1、以 T/R組件為核心的有源相控陣（Active Electronically Scanned Array， AESA）技術(shù)是近年來(lái)正在迅速發(fā)展的雷達(dá)新技術(shù)。有源相控陣?yán)走_(dá)的輻射單元后均接有 T/R組件，可以說(shuō) T/R組件的性能決定著雷達(dá)整機(jī)的指標(biāo)，而在設(shè)計(jì)T/R組件時(shí)，最關(guān)鍵的是功率放大模塊。
　　隨著工藝尺寸不斷減小和工作頻率的不斷提高，SiGe BiCMOS器件在截止頻率方面受到限制，SiGe BiCMOS功率放大器也在實(shí)現(xiàn)大

2、功率輸出方面有著極大的挑戰(zhàn)。
　　本文對(duì)有源相控陣?yán)走_(dá)及T/R組件進(jìn)行了簡(jiǎn)要介紹，包括該領(lǐng)域國(guó)內(nèi)外的研究現(xiàn)狀，功率放大器基本原理和技術(shù)指標(biāo)，線性化與效率提升技術(shù)，SiGe BiCMOS工藝等。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)出一款應(yīng)用于 X波段的功率放大器，通過(guò)直流偏置設(shè)計(jì)、諧波阻抗優(yōu)化設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)，最終放大器工作在AB類，采用單端兩級(jí)放大的共射共基結(jié)構(gòu)，包括輸入與輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，偏置電路采用自適應(yīng)線性化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高增益和高線性的輸出。電路中的

3、無(wú)源器件均采用片上元件，因此這款功率放大器是全集成的。
　　該功率放大器基于IBM0.18μm SiGe BiCMOS7WL工藝流片，并對(duì)實(shí)際電路進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果表明，在3.3V電源電壓下，在8.5GHz時(shí)增益為21.8dB，1dB壓縮點(diǎn)輸出功率為10.4dBm，輸入輸出匹配良好，芯片面積為1.4mm×0.8 mm。芯片面積較小，實(shí)現(xiàn)了與整個(gè)T/R芯片的集成，輸出功率、增益指標(biāo)均滿足T/R組件的功率放大需求。
　　在本文的