X波段GsN內匹配功率放大器的理論與設計.pdf

1、氮化鎵(GaN)——作為第三代寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度高、擊穿電場高等特點。采用GaN材料制作的AlGaN/GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)，相比砷化鎵(GaAs)基場效應晶體管(FET)可以實現(xiàn)高頻更大功率的輸出，是當前國際上微波功率晶體管研究的熱門。許多國家的研究機構都研制出基于AlGaN/GaN HEMT的高性能放大器。本文就是基于AlGaN/GaN HEMT進行X波段內匹配功率放大器的設計工作進行

2、討論研究。
　　 在對X波段AlGaN/GaN HEMT內匹配功率放大器的設計過程中，論文將討論三個的內容。第一專題主要討論了AlGaN/GaN HEMT的器件工作原理，這將在第二章節(jié)內容里具體闡述;第二專題主要討論了設計微波功率放大器需要的AlGaN/GaN HEMT的小信號等效電路模型，它是放大器輸入匹配電路設計的依據(jù); AlGaN/GaN HEMT的大信號輸出等效電路模型，它是作為放大器輸出匹配電路設計的依據(jù)，這些內容都將

3、在第三章節(jié)里詳細討論。第三專題討論了X波段AlGaN/GaN HEMT內匹配放大器的設計過程，它包括放大器的電路拓撲、放大器輸入輸出匹配網(wǎng)絡的設計、放大器偏置網(wǎng)絡的設計、放大器的穩(wěn)定性以及放大器的測試結果分析等幾方面的內容。這些內容都將在論文的第四章節(jié)和第五章節(jié)里具體闡述。最終研制設計的AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器在7.7-8.2GHz頻帶內連續(xù)波功率輸出大于100W，功率增益高于6dB，功率附加效率最高達到38.2％。<