BiCMOS工藝中的間隙壁層線寬均勻度的研究.pdf

1、在光刻工藝中產(chǎn)品的BiCMOS線寬均勻度問題一直是各個半導體公司遇到的嚴重問題，線寬均勻度差不但對當層的蝕刻工藝有很大影響，對整個芯片的良率和電性參數(shù)有很大影響。本文研究了光刻中BiCMOS間隙壁層線寬均勻度的控制問題，針對間隙壁層在生產(chǎn)中出現(xiàn)嚴重的線寬均勻度差問題進行了深入的研究和優(yōu)化。找到了解決這一難題的方法并有效實現(xiàn)了研究的目的，達到了預期的效果。
　　 線寬均勻度是指線寬在整片芯片內(nèi)或芯片間的測量值的平均分布，藉以表示芯

2、片內(nèi)各測量點的數(shù)值或是芯片與芯片間其測量值的變化。其表示方法如下：如測量芯片內(nèi)上中下左右與5點線寬數(shù)據(jù)，5點平均值X=(X1+X2+X3+X4+X5)/5，均勻度Uniformity=(X max-X min)/2X×100％。均勻度越小，表示各點變化越小。亦即表示芯片制程品質(zhì)較佳，也是制程能力越好的表現(xiàn)。若在光刻工藝中出現(xiàn)線寬均勻度差，需要對產(chǎn)品進行一次甚至多次重做，這樣使得成本提高。而且影響產(chǎn)品良率，產(chǎn)品出現(xiàn)缺陷，這樣產(chǎn)品就要報廢，