光刻工藝中聚酰亞胺層光阻減量和線寬均勻性研究.pdf

1、自從第一個(gè)晶體管問(wèn)世以來(lái)，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展已超過(guò)多半個(gè)世紀(jì)了，現(xiàn)在它仍保持著強(qiáng)勁的發(fā)展動(dòng)力，繼續(xù)遵循摩爾定律：即芯片集成度每18個(gè)月翻一番。在新的世紀(jì)里半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已被定為中國(guó)的支柱產(chǎn)業(yè)之一。
　　 光刻工藝通常指采用照相的方法將光刻掩模的圖形精確地復(fù)印到表面的光刻膠硅片上面。在集成電路制造過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)多次光刻，所以光刻質(zhì)量是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素之一，而線寬、套刻等的控制又是光刻質(zhì)量的關(guān)鍵之關(guān)鍵。本課題就是

2、以半導(dǎo)體制造這個(gè)大的環(huán)境為背景，以聚酰亞胺層光刻膠減量為目的，介紹在半導(dǎo)體制造行業(yè)中聚酰亞胺膜厚和線寬參數(shù)的控制。以及如何對(duì)線寬、套刻工藝參數(shù)等進(jìn)行系統(tǒng)性的優(yōu)化進(jìn)行研究。以減少聚酰亞胺層的缺陷和對(duì)線寬均勻性的改進(jìn)。
　　 另一方面隨半導(dǎo)體生產(chǎn)的發(fā)展所使用的硅片尺寸越來(lái)越大，為保證光刻后得到均勻的線寬和提高整枚硅片的成品率，因此對(duì)光刻均勻性的研究就變得尤為重要。由于聚酰亞胺具有高粘稠度和負(fù)光阻的性質(zhì)，線寬的均勻性和晶圓間的差異性比

3、較難控制，工藝后曝光與顯影上如何保證最終光刻的均勻做了一些研究。另外由于聚酰亞胺層光刻膠非常昂貴，本課題在光阻使用量的減少。本課題主要是以TEL TRACK ACT－8顯影/涂膠機(jī)以及NIKON步進(jìn)光刻機(jī)為基礎(chǔ)對(duì)聚酰亞胺層工藝的各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，找出最佳的參數(shù)以及調(diào)整的方法。同時(shí)對(duì)負(fù)膠光阻的光阻涂布工藝進(jìn)行了改良以以減少光刻膠的使用量。
　　 本論文首先介紹了光刻技術(shù)原理，以及光刻的發(fā)展和趨勢(shì)，接著介紹了光刻制造工藝流程以及在I