SiC單晶生長設備加熱系統(tǒng)設計及其仿真.pdf

1、隨著半導體技術的發(fā)展，傳統(tǒng)的第一代材料Si和第二代材料GaAs由于本身結構和特性的原因，在高溫、高頻、高功率等方面顯示出其不足和局限性，一系列新型的半導體材料如SiC、GaN、金剛石等越來越引起人們的重視。
　　 其中SiC材料以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性，被看作是半導體領域最有前景的材料之一。碳化硅材料獨特的物理性能決定了其在人造衛(wèi)星、火箭、雷達、通訊、戰(zhàn)斗機、噴氣發(fā)動機等重要領域的應用。

2、因此各發(fā)達國家都投入了大量的人力物力進行相關技術研究，各種相關產(chǎn)品逐漸得到開發(fā)。
　　 SiC單晶制備的研究已成為目前半導體材料領域的一個研究熱點，并已取得了長足的進步，但距離大規(guī)模應用還存在一定的距離。在面臨的技術難題中SiC單晶生長設備對SiC單晶的制備具有重要的影響，
　　 本論文依據(jù)SIC晶體生長工藝的要求，在多年研究工作的基礎上根據(jù)PVT法晶體生長特點，設計了滿足晶體生長所用的石墨坩堝結構、保溫機構、感應線圈的