PVT法生長(zhǎng)SiC單晶的晶型控制.pdf

1、用物理氣相輸運(yùn)(Physics Vapor Transport)法生長(zhǎng)的SiC單晶常常出現(xiàn)同質(zhì)異晶型(polytypes)夾雜。由于異晶型間電學(xué)特性差異較大，使得SiC的應(yīng)用受到限制。為此，研究SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的晶型控制十分重要。
　　本文在探索SiC單晶生長(zhǎng)工藝的基礎(chǔ)上，分析了異晶型產(chǎn)生的原因，討論了SiC異晶型的鑒別方法，并使用拉曼光譜(Raman Spectrum)以及電子衍射(Electron Diffraction)

2、技術(shù)對(duì)實(shí)驗(yàn)晶片進(jìn)行了晶型鑒別，提出了有效的晶型控制工藝。
　　論文獲得了以下主要結(jié)論:
　　1.選擇無(wú)同質(zhì)異晶夾雜的晶片做籽晶;
　　2.選擇合適的原料和工藝條件以保持生長(zhǎng)過(guò)程中恰當(dāng)?shù)腟i/C比例;
　　3.為了保持生長(zhǎng)面溫度恒定，需要實(shí)時(shí)調(diào)整測(cè)溫點(diǎn)的控制溫度;
　　4.為了保證生長(zhǎng)面周向溫度均勻性，需要實(shí)時(shí)調(diào)整石英管局部區(qū)域的散熱;
　　5.為了保持生長(zhǎng)腔內(nèi)的溫度梯度恒定，需要實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)坩堝與線圈的相