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文檔簡介
1、用物理氣相輸運(Physics Vapor Transport)法生長的SiC單晶常常出現(xiàn)同質異晶型(polytypes)夾雜。由于異晶型間電學特性差異較大,使得SiC的應用受到限制。為此,研究SiC晶體生長過程中的晶型控制十分重要。
本文在探索SiC單晶生長工藝的基礎上,分析了異晶型產生的原因,討論了SiC異晶型的鑒別方法,并使用拉曼光譜(Raman Spectrum)以及電子衍射(Electron Diffraction)
2、技術對實驗晶片進行了晶型鑒別,提出了有效的晶型控制工藝。
論文獲得了以下主要結論:
1.選擇無同質異晶夾雜的晶片做籽晶;
2.選擇合適的原料和工藝條件以保持生長過程中恰當?shù)腟i/C比例;
3.為了保持生長面溫度恒定,需要實時調整測溫點的控制溫度;
4.為了保證生長面周向溫度均勻性,需要實時調整石英管局部區(qū)域的散熱;
5.為了保持生長腔內的溫度梯度恒定,需要實時調節(jié)坩堝與線圈的相
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