版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、硅單晶現(xiàn)已廣泛用于電子、電氣、機械、儀表、制造、核動力工業(yè)和各種高技術(shù)研究領(lǐng)域,鑒于其在市場上的廣泛應(yīng)用及重要性,本文將先進的計算機控制技術(shù)應(yīng)用于硅單晶生長設(shè)備,針對性地提出了一套完整的硅單晶生長控制系統(tǒng)方案。本文首先簡要介紹了硅單晶生長工藝——直拉法的原理和過程以及單晶爐控制系統(tǒng)原理。在此基礎(chǔ)上,提出了在雙CCD攝像頭測量晶體直徑的基礎(chǔ)上,實現(xiàn)并級全閉環(huán)控制模式。通過兩個CCD測出不同階段的直徑,然后和工藝給出值比較后加權(quán)分別作為溫度
2、和速度的設(shè)定值,實現(xiàn)全閉環(huán)控制。給出了速度和溫度串級控制后并級全閉環(huán)控制的數(shù)學(xué)模型,采用工業(yè)上常用的PID控制策略,并利用MATLAB的SIMULINK工具箱進行了仿真,然后和單閉環(huán)控制系統(tǒng)仿真結(jié)果進行比較。結(jié)果顯示其超調(diào)和快速以及穩(wěn)態(tài)誤差等參數(shù)都較其它系統(tǒng)優(yōu)越。本控制系統(tǒng)是基于ARM920T內(nèi)核的嵌入式芯片,選擇支持USB設(shè)備的Linux操作系統(tǒng),根據(jù)控制系統(tǒng)的設(shè)計要求,設(shè)計完成了相關(guān)的硬件電路,相關(guān)圖像采集系統(tǒng)和圖像處理子系統(tǒng)的程序
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 天通公司快速硅單晶生長工藝控制系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn).pdf
- 直拉硅單晶生長Cusp磁場的研究.pdf
- 基于數(shù)據(jù)驅(qū)動的硅單晶生長過程控制研究.pdf
- 直拉硅單晶生長界面生成、演變及控制方法研究.pdf
- 真空高阻區(qū)熔硅單晶生長技術(shù)的研究.pdf
- 太陽能硅單晶快速生長中結(jié)晶潛熱的研究.pdf
- UHVCVD外延生長——薄硅及鍺硅單晶薄膜.pdf
- 直拉硅單晶典型生長過程的熱場數(shù)值模擬研究.pdf
- 生長φ8″直拉硅單晶φ18″熱場研究及數(shù)值模擬.pdf
- UHV-CVD外延生長硅及鍺硅單晶薄膜.pdf
- 硅單晶中氮擴散的研究.pdf
- 區(qū)熔硅單晶生長技術(shù)中熔區(qū)的數(shù)值模擬與研究.pdf
- 重摻雜硅單晶中氧的研究.pdf
- 硅單晶等徑階段直徑模型辨識與控制研究.pdf
- 直徑300mm硅單晶生長過程的熱場模擬.pdf
- 單晶銅水平牽引生長設(shè)備及自動控制系統(tǒng)的研究.pdf
- 碳化硅單晶納米絲和單晶片的溶劑熱合成制備與生長機理研究.pdf
- 直拉硅單晶的快速熱處理(RTP)研究.pdf
- 摻鍺直拉硅單晶中缺陷的研究.pdf
- 基于PID神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的單晶硅提拉速度控制系統(tǒng).pdf
評論
0/150
提交評論