Ni-N薄膜材料的制備與性能表征.pdf

1、過渡金屬氧化物(NiO，TiO2，HfO2，CuxO)、固體電解質(zhì)(GeSe)、硅化物及部分有機物材料都被證實擁有阻變性質(zhì)。實際上，部分金屬氮化物材料（氮化銅、氮化鋁、氮化硅）擁有與過過渡金屬氧化物類似的電學性質(zhì)，他們都是新型阻變功能材料。提出采用等離子體浸沒注入、電子回旋共振等離子體輔助脈沖激光沉積等方法，制備氮化鎳薄膜材料，研究其結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系，并結(jié)合能帶計算方法，討論這一材料是否可能成為一種阻變材料。
　　采用等離子體

2、浸沒注入制備氮化鎳的研究中，首先使用脈沖激光沉積方法生長Ni薄膜，再對其進行氮離子注入的摻雜。通過控制注入電壓、注入時間制備了不同的氮化鎳薄膜。利用X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、霍爾(Hall)測試系統(tǒng)等測試手段，研究了注入時間、注入電壓、退火溫度對薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌和電學性能的影響。
　　本研究嘗試使用脈沖激光沉積法制備氮化鎳薄膜材料。通過控制氮氣分壓制備了不同的薄膜材料，電學測試結(jié)果表明，本實驗條件下，采用脈