應(yīng)變鍺薄膜的制備與表征.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著“摩爾定律”的提出，硅基微電子器件的特征尺寸已經(jīng)達(dá)到了物理極限，人們開始為擴(kuò)大硅基微電子技術(shù)而努力。實(shí)際上，硅作為光學(xué)器件集成的平臺(tái)已經(jīng)被廣泛的研究了。然而硅是間接帶隙材料不能作為高效率光源的這一事實(shí)，已經(jīng)阻礙了它的發(fā)展。人們開始關(guān)注其他的Ⅳ族半導(dǎo)體材料。作為候選材料的鍺雖然也是間接帶隙，但是其直接帶與間接帶之差僅為0.136eV，并且引入張應(yīng)變可以使這一差值進(jìn)一步減小。
　　本文采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備出具有高應(yīng)力

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