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1、氫化納米硅薄膜是單晶硅和非晶硅的混相物質(zhì),由納米尺度的單晶硅顆粒鑲嵌在氫化非晶硅的網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)成。本研究工作報告主要進行了本征納米硅薄膜的制備,摸索用PECVD方法制備納米硅薄膜的工藝影響因素,包括氫稀釋比、射頻功率、氣體流量、直流偏壓等。結(jié)果表明1％左右的硅烷濃度,可以獲得50%左右晶態(tài)比的納米硅薄膜。流量減小,納米硅薄膜中的硅晶粒有減小的趨勢。射頻功率增大,硅納米晶的顆粒有長大的趨勢。施加直流負偏壓,硅納米晶顆粒有減小的趨勢。研究了本征
2、納米硅薄膜的激光晶化處理,激光晶化處理能使納米硅顆粒晶化成多晶硅顆粒。本研究中的激光能量密度閾值是300 mJ/cm2,在這個能量閾值之前薄膜中的非晶硅完全熔化,而納米晶在這個能量閾值之后開始熔化,并且納米晶起著生長晶種的作用,促使形成大的多晶顆粒。選擇不同的PH3/SiH4,研究不同磷摻雜比對納米硅薄膜的結(jié)構(gòu)性能和表面狀態(tài)的影響。結(jié)果表明摻磷納米硅薄膜中的硅原子的化學(xué)環(huán)境是Si-Si和Si-Hx。在PH3/SiH4為5%左右時,摻磷納
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