磁控濺射摻鋁氧化鋅(AZO)薄膜及其在多晶硅太陽(yáng)電池上的應(yīng)用.pdf

1、摻Al的ZnO薄膜（簡(jiǎn)稱AZO）不但制備簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、無(wú)毒無(wú)害而且具有透明、導(dǎo)電等優(yōu)良特性。本文試圖將AZO這些特性用于多晶硅半導(dǎo)體太陽(yáng)電池制備中，希望能降低電池的成本、提高電池的性能。本文主要的工作和成果如下：
　　 1．研究了室溫下工藝條件（濺射功率、氬氣流量）對(duì)AZO薄膜電學(xué)、光學(xué)、結(jié)構(gòu)、表面形貌等性質(zhì)的影響，獲得AZO薄膜制備的最佳工藝條件：濺射功率150W，氬氣流量60sccm(氣體壓強(qiáng)為0.6Pa)。
　　

2、 2．研究了退火對(duì)磁控濺射AZO薄膜性能的影響。在N2氛圍中的退火，發(fā)現(xiàn)退火對(duì)此條件濺射的AZO薄膜的透射光學(xué)性質(zhì)影響不大，在可見(jiàn)光區(qū)域透射率均在90％左右。
　　 3．首次研究了形成AZO薄膜與N+型Si歐姆接觸的機(jī)理和條件。結(jié)果發(fā)現(xiàn)AZO薄膜與N+型Si的比接觸電阻先隨溫度升高而降低，當(dāng)退火溫度大于550℃后比接觸電阻又提高；比接觸電阻先隨著退火時(shí)間的增加而降低，超過(guò)7.5min后又提高。最佳退火條件為N2氛圍中，550℃下

3、退火7.5min，所獲得最低比接觸電阻為7.32×10-4Ω.cm2。此工作申請(qǐng)了一件發(fā)明專利，并正式發(fā)表一篇論文。
　　 5．用橢圓偏振檢測(cè)磁控濺射的AZO薄膜折射率為1.93，與SiNx折射率1.97相近。研究了AZO在N+-Si上的光反射譜，結(jié)果表明：在可見(jiàn)光范圍內(nèi)反射率都比較低，尤其在波長(zhǎng)為550nm處反射率在1.5%左右，可替代SiNx作為晶體硅的減反射膜。對(duì)AZO和SiNx兩種減反膜的多晶硅太陽(yáng)電池進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試分析