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文檔簡介
1、隨著集成電路的廣泛應用,特征尺寸的不斷減小,輻射環(huán)境下各種輻射粒子引起的單粒子翻轉效應日益嚴重。研究半導體器件的單粒子翻轉效應,提高其抗單粒子翻轉的能力,成為近年來國內外微電子學領域的重要課題。
本文首先介紹了輻射環(huán)境、單粒子翻轉機理、入射粒子的表征方法及其在半導體中電荷淀積模式和單粒子翻轉的量化表征方法。隨后分析了本文用于仿真的SOI及應變硅技術。提出了器件單粒子翻轉的模擬方法,并應用ISE軟件進行了模擬仿真。對電荷漏斗
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