MOS型器件輻照損傷及退火效應(yīng)研究.pdf

1、閾值電壓是表征 MOS型器件性能的關(guān)鍵參數(shù)之一。本文基于質(zhì)子和電子輻照，研究了MOS型器件(CC4013和CC4007)在輻照過(guò)程中閾值電壓的退化規(guī)律。并且，在輻照試驗(yàn)結(jié)束后，分析了不同退火時(shí)間及溫度下閾值電壓的變化規(guī)律。
　　研究結(jié)果表明，PMOS晶體管閾值電壓隨輻照注量的增加而不斷向負(fù)方向漂移；NMOS晶體管閾值電壓隨輻照注量的增加，先向負(fù)方向漂移，當(dāng)輻照注量達(dá)到一定程度時(shí)又向正方向漂移。不同種類輻照源對(duì) MOS型器件造成的輻

2、照損傷不盡相同，在給定輻照注量條件下，對(duì) MOS型器件造成的損傷程度從大到小依次為3MeV質(zhì)子輻照、110keV及1MeV電子輻照、170keV質(zhì)子輻照。對(duì)于相同種類及能量的輻照源，輻照通量的變化對(duì) MOS型器件閾值電壓退化規(guī)律影響不大。
　　退火試驗(yàn)結(jié)果表明，退火溫度不同，MOS型器件閾值電壓的退火效應(yīng)不同。退火溫度越高，受輻照后的MOS型器件退火速率及恢復(fù)程度越大。經(jīng)不同粒子輻照后的器件，閾值電壓恢復(fù)程度不盡相同。室溫退火時(shí)，