基于光激電流法研究聚酰亞胺薄膜陷阱能譜.pdf

1、作為綜合性能非常優(yōu)異的聚合物材料,聚酰亞胺在航空航天、微電子技術(shù)等高技術(shù)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。長期工作在電應(yīng)力的作用下,空間電荷行為對絕緣材料的老化和擊穿特性帶來巨大的影響,而陷阱的性質(zhì)決定著電荷的存貯和輸運(yùn)。因此,研究聚合物材料的陷阱結(jié)構(gòu)和分布對提高其性能有重要的意義。
　　 光激電流(PSD)法是研究聚合物材料中陷阱結(jié)構(gòu)及空間電荷存貯和輸運(yùn)的有效工具,能實(shí)現(xiàn)無損、等溫測量,可以用來研究能級較深的電荷陷阱。本文較詳細(xì)的介紹了實(shí)驗(yàn)

2、系統(tǒng),并對實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的可行性及可靠性進(jìn)行了驗(yàn)證,結(jié)果表明此系統(tǒng)完全可以達(dá)到實(shí)驗(yàn)要求。
　　 利用該裝置測量了未注入、不同注入時間和不同注入電壓條件下的普通聚酰亞胺薄膜和納米雜化聚酰亞胺薄膜的光激電流譜,并對注入電荷后的樣品進(jìn)行多次掃描。通過對實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析發(fā)現(xiàn),兩種型號的PI薄膜的陷阱能級分布為帶狀,分別為3.1eV-4.2eV和3.1eV-4.3eV；增加注入時間,光激電流隨之增大,注入時間由60min增加到90min,電流峰向